跃升源体图3.Ti负载g-C3N4氮空位催化的最低能量路径上的能量势垒（图中插入了五个过渡态的优化结构）。

数字生产（b）B掺杂g-C3N4的示意图。力让力新（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的顶视图。

比特（e）B掺杂g-C3N4/SnS2的能带结构图。Z-schemep-n型异质结构的优点是光生空穴的传输比n-n型异质结构更快，增值助这对提高光催化剂的光催化活性非常重要。DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、瓦特PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。

研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂，型能系其光催化能力优于g-C3N4。g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的功函数和电荷密度差异，跃升源体表明其电荷转移机制是Z-scheme电荷转移机制。

数字生产文献链接：AhighefficientZ-schemeB-dopedg-C3N4/SnS2photocatalystforCO2reductionreaction:Acomputationalstudy（JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA07352J）。

力让力新（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。观察到分离的Ni单原子（较亮的点），比特红色圆圈标明。

增值助（B）样品Fe/N-C的HAADF-STEM显微照片（比例尺：5nm）。介绍了各种改变电催化剂表面和体积结构的方法，瓦特包括杂原子掺杂，瓦特空位控制，晶界，金属间化合物，金属-金属氧化物和金属-碳界面结构，以及它们在提高效率和选择性方面的作用。

型能系（B）缺陷和界面对催化剂表面的影响。跃升源体非均匀电荷分布（右下）：缺陷限域电荷分布（左）与界面处电荷分布。